IBM-ovi naučnici objavili su rad koji bi mogao dovesti do boljih, efikasnijih i štedljivijih čipova. IBM smatra kako je današnja CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) tehnologija došla do svojih krajnjih granica, te su potrebni novi materijali umesto silicijuma kako bi se održao trend smanjivanja potrošnje uz istovremeno povećanje performansi novih čipova.

Njihov naučni rad koji je objavljen u publikaciji Science u osnovi se sastoji od zamene silicijuma metalnim oksidom u procesorima i memoriji i to na atomskom nivou.

Propuštanjem mlazova ioniziranih tečnih elektrolita kroz okside, IBM može prebacivati taj oksid iz izolatora u provodnik i obrnuto. Taj "trik" omogućuje bacanje logičkih vrata u akciju samo onda kada postoji potreba odnosno neko "događanje", umesto potrebe za stalnim napajanjem elektricitetom, te bez promena u pritisku ili u temperaturama koje su upravljale metalnim oksidima u prošlosti.

Drugim rečima ovo bi moglo predstavljati veliki napredak u daljem razvoju "neizbrisive" (nonvolatile – NV) memorije koja može održati sačuvanu informaciju bez napajanja, te je deo IBM-ovog razvoja novih memorijskih rešenja poput MRAM-a.

IBM navodi kako su ovo tek začeci nove tehnologije, tako da ćemo se još morati strpiti neko vreme dok se ova tehnologija pojavi na tržištu.

 

Izvor: vidi.hr